加速器低溫超導(dǎo)磁體的冷卻方式主要取決于:運行溫度、熱負荷(靜態(tài)和動態(tài))、氦流動狀況(單相流、兩相流)、熱交換和熱輸運狀況(預(yù)冷、再冷、過熱等)、所允許的最高壓力、低溫原件的分配(加速器的長度)等。
目前廣泛采用的冷卻方式有二種:浸泡冷卻(飽和液氦浴冷)、迫流冷卻(兩相氦或超臨界氮)、熱傳導(dǎo)冷卻。超導(dǎo)腔一般用Hel(4.4K, 如LEP, KEK、HERA)或Hell(<2.1K，如CEBAF, TESLA, ILC)飽和液氦浴冷。而用于超導(dǎo)磁體的液氦浴冷僅用于緊湊的或單個的磁體。
目前廣泛采用的冷卻方式有二種:浸泡冷卻(飽和液氦浴冷)、迫流冷卻(兩相氦或超臨界氮)、熱傳導(dǎo)冷卻。超導(dǎo)腔一般用Hel(4.4K, 如LEP, KEK、HERA)或Hell(<2.1K，如CEBAF, TESLA, ILC)飽和液氦浴冷。而用于超導(dǎo)磁體的液氦浴冷僅用于緊湊的或單個的磁體。
兩相流問題(氣液兩相互相阻礙彼此的流通、在逆流狀況下出現(xiàn)的蒸汽高速流)和因形成氣泡而產(chǎn)生的局部過熱(如在磁體的心部)等難題限制了在長串加速器中采用氦浴冷卻，這些加速器一般采用超臨界氮。
